报告时间：2026年7月3日  下午15:00

报告地点：出版大楼801会议室

报告嘉宾：李梦娇、孙柏、林立华

报告题目01：范德华可重构存算器件与光电集成探索

报告人简介：李梦姣、中共党员、上海大学“伟长学者”特聘教授、博士生导师、国家级青年人才。主要从事新型后摩尔微纳半导体光电器件的性能研究，以及亚纳米集成逻辑电路、存储器、智能感知电子芯片的应用开发开展范德华微纳存算器件与智算显光电异质集成探索研究，2023年入选国家高层次人才优秀青年项目（海外），入选上海市领军青年人才（海外）和上海市科技启明星计划。主持科技部重点研发青年科学家项目、国家自然科学基金委面上项目等。以第一/通讯作者在Nature Electronics, Science Advances, Nature Communications, Advanced Materials, Advanced Functional Materials等权威期刊上发表学术论文50余篇。

报告摘要：针对边端智能显示系统面临的存储墙延迟与能效瓶颈，本报告围绕范德华可重构存算器件开展研究，基于缺陷工程实现表界面精准调控，优化器件非易失多态电导特性与存算融合性能。进一步探讨 MoS₂存算晶体管与 Micro-LED 单片集成，构建像素级存算显一体化阵列，实现原位图像重建、实时显示与片上神经网络推理应用探索。

报告题目02：面向医学诊疗与脑机接口的忆阻器制备与应用

报告人简介：孙柏，西安交通大学教授、博导，国家级青年人才，入选西安交通大学青年拔尖A类，近三年连续名列全球前2%顶尖科学家榜单，获批陕西省首批校招共用人才专项。研究方向为忆阻器的制备及其在人工智能和生物医学领域的应用，以第一/通讯作者在SCI期刊 Advanced Materials, ACS Nano，Advanced Functional Materials，Nano Letters，Nano Energy，Advanced Science，Nano-Micro Letters等上发表论文100余篇。影响因子大于10的论文超过50篇，15篇遴选进入全球ESI 1% 高被引，论文总引用1万余次，个人H指数55，i10指数195，授权发明专利20余项，主持自然科学基金面上项目等约10项。

报告摘要：在人口老龄化持续加深，实时动态健康监测、疾病早期预警、可植入式医疗已经成为临床医学与智能健康领域的核心需求。脑机接口技术能够跨越受损神经通路，实现大脑与外部设备的信息交互与指令转换，在运动重建、康复医疗、生理监测与智能辅助等方面具备不可替代的应用价值。然而，传统基于冯・诺依曼架构的传感、计算与控制系统存在模数转换损耗高、能耗大、并行处理能力弱等问题，难以适配脑电、肌电、心电等生物信号微弱、连续、动态变化的特点。具有模拟生物突触与神经元信息处理机制为核心的忆阻器显示出了巨大的应用潜力，忆阻器具有低功耗、高并行度、连续态可调、近传感计算等突出优势，能够在硬件层面直接复现突触可塑性、时空信号编码、学习与记忆等核心功能，为生理信号原位处理、脑电解码、运动意图识别与闭环神经调控提供全新技术路径。

报告题目03：亚微米尺度QLED中的电场拓扑与限域激子动力学

报告人简介：林立华，南京大学凝聚态物理学专业博士，福建省高层次引进人才。主要从事半导体光电器件与材料、磁学及自旋电子学等相关领域方向，包括量子点发光二极管（QLED）、超高分辨显示技术、柔性光/电子器件以及低维纳米结构材料的磁性、磁光效应及二维磁性材料在信息器件领域等方面应用研究。以独立第一作者在《Nature》发表论文（IF>48.5，福州大学信息类首篇），被新华社、科技日报、科学网、人民网、福建日报等权威媒体誉为“为我国新一代集成显示自主发展提供重要支撑”；另以独立一作者在《Adv. Funct. Mater.》等国际知名期刊发表论文13篇。授权/申请发明专利18项；参编教材3部。主持国家科技重大专项课题等7项；获中国材料研究学会科技进步一等奖、中国光学学会光学科技奖二等奖；担任《发光学报》青年编委。

报告摘要：亚微米QLED在显示芯片化过程中面临严重的尺寸效应瓶颈。针对电荷输运不均引发的边缘漏电问题，利用TiO₂纳米粒子匹配图案化绝缘层的介电常数，实现像素内电场分布的重构与均匀化。在激子动力学层面，探讨纳米微孔几何约束对局域电场的增强作用，将激子共振能量转移（FRET）临界半径从4.9 nm扩展至9.2 nm，揭示微纳限域环境对非辐射能量转移效率的调制规律。结合瞬态光谱表征与多物理场仿真，剖析亚微米像素中力-电-光多场耦合下的性能演变，探讨极端尺度下光电子器件突破效率极限的物理路径。