袁锐，四川人，博士，预聘教授。2023年7月于北京大学集成电路学院获得博士学位，2024年2月加入西南大学人工智能学院。长期从事关于忆阻器、类脑计算、神经形态器件、人工智能硬件的研究，主要研究方向包括:基于忆阻器的神经形态器件、电路与系统研究，忆阻器存算一体芯片等。近年来在Nature Communications、Advanced Electronic Materials、Advanced Intelligent Systems等期刊上发表论文十余篇，博士期间参研国家重点研发计划、国家自然科学基金面上项目、国家杰出青年基金等多项科研项目。

课题组长期欢迎集成电路、微电子、材料物理、计算机、人工智能等相关专业的同学咨询与报考，也欢迎优秀的本科生同学进组交流、参与科研项目。团队能为同学们提供学术研究、科研论文撰写、专利申请等方面的指导，也可参与国内外各种学术活动、交流访问，推荐优秀毕业生前往国内外知名高校、研究所深造。

一、教育经历：

1、2018.09-2023.07，北京大学，集成电路学院，微电子学与固体电子学，博士

2、2014.09-2018.07，吉林大学，电子科学与工程学院，电子科学与技术，学士

二、科研工作经历：

1.2024.02-至今，西南大学，人工智能学院，预聘教授

三、近期代表性论著

1. R. Yuan#, P. J. Tiw#, L. Cai, Z. Yang, C. Liu, T. Zhang, C. Ge and Y. Yang, A neuromorphic physiological signal processing system based on VO₂ memristor for next-generation human-machine interface, Nature Communications, 14 (1), 3695 (2023).

2. R. Yuan, Q. Duan, P. J. Tiw, G. Li, Z. Xiao, Z. Jing, K. Yang, C. Liu, C. Ge, R. Huang and Y. Yang, A calibratable sensory neuron based on epitaxial VO₂ for spike-based neuromorphic multisensory system, Nature Communications, 13 (1), 3973 (2022).

四、授权国家发明专利

1. 一种可用于处理生理信号的基于忆阻器的异步脉冲编码器，专利申请号：202310155631X

2. 一种基于双极性忆阻器的逻辑实现方法，专利申请号：CN201911306380.0

3. 一种基于单极性忆阻器的完备非易失逻辑实现方法及其应用，专利申请号：CN201910197881.3

4. 一种基于离子栅MoS₂晶体管的不平衡三值逻辑门的实现方法，专利申请号： CN202111088535.5

5. 基于易失性阈值阻变忆阻器的自适应人工脉冲神经元电路，专利申请号：2023101495547